[发明专利]p型沟道的III-V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110354525.5 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113193038B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王新强;杨流云;郭镛彬;王平;刘放;魏嘉琪;王锦林;叶昊天;张振宇;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型沟道的III‑V族材料异质结构和HEMT器件及制备方法。本发明的p型沟道的III‑V族异质结构包括：衬底、缓冲层、势阱层、二维空穴气和势垒层，二维空穴气为极化诱导形成，无需掺杂；本发明的HEMT器件中的二维空穴气距离异质结构的表面近，能够实现器件的有效栅控；势垒层厚度薄，有利于形成平整的异质结界面，减小缺陷和粗糙度，提高二维空穴气的迁移率；异质结构中二维空穴气的浓度和距外延表面的距离皆可调，能够根据应用需求灵活设计。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 iii 材料 结构 hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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