[发明专利]Ga2有效

专利信息
申请号: 202110354520.2 申请日: 2021-04-01
公开(公告)号: CN113193037B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 王新强;魏嘉琪;沈波;荣新;王丁;张宝庆;刘放;杨景 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/24;H01L29/88;H01L21/34
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构,集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分,使得具有超大的禁带宽度和击穿场强,在更高电压下会出现更多微分负阻现象,器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值;利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点,极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区,提高器件的稳定性;采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大,有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制,提高器件的输出功率。
搜索关键词: ga base sub
【主权项】:
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