[发明专利]双斜坡型倒装DBR的LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110354282.5 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113054065A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈晓冰 | 申请（专利权）人： | 普瑞（无锡）研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人： | 熊启奎;周晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双斜坡型倒装DBR的LED芯片结构及其制作方法，其中双斜坡型倒装DBR的LED芯片结构包括：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，通过刻蚀技术将暴漏区域的N‑GaN层刻蚀出来，形成N‑GaN台阶，在LED芯片外延结构上设有电流阻挡层和透明导电层，在此基础上设置N、P导电金属层，在芯片结构表面形成第一PV层，再在芯片结构的表面形成第二PV层，在此基础上形成介质膜DBR层，DBR层和第二PV层的蚀刻速度大于第一PV层蚀刻速度，形成先缓后陡的双斜坡，在蚀刻位置制作N、P焊盘电极。本发明有利于焊盘电极的覆盖，焊盘电极具有更好的包覆效果，使焊盘电极更加稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 斜坡 倒装 dbr led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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