[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括：提供堆叠体，堆叠体包括交替层叠的多层牺牲层和多层隔离层；采用第一掩膜板在堆叠体中刻蚀形成贯穿的沟道孔阵列；采用第二掩膜板在堆叠体中形成贯穿的栅极隔槽和环形槽，环形槽环绕栅极隔槽和沟道孔阵列；将牺牲层置换为控制栅结构，以形成栅极堆叠结构；在环形槽中形成密封环，密封环环绕栅极堆叠结构。由于本申请中用于形成共源极的栅极隔槽与用于形成密封环的环形槽是通过同一掩膜板形成的，掩膜板上主体图形间的设计差异较小，从而提高了刻蚀的工艺窗口，避免了现有技术中沟道通孔的刻蚀工艺与密封环采用深槽工艺不能兼容的问题，解决了环形槽底部的阻塞以及大量多晶硅残留的问题。