[发明专利]一种低维层状氧化钇纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110352636.2 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113060753B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 朱媛媛;曾雄;王红军;魏红;林嘉权 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01F17/218 | 分类号： | C01F17/218;C01F17/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低维层状氧化钇纳米片及其制备方法，包括以下步骤：对六水氯化钇进行加热得到氯氧化钇晶体；将氯氧化钇晶体溶解于溶剂中进行离心处理得到氧化钇；将氯化钇进行退火得到低维层状氧化钇纳米片。本申请的试验条件容易达成，产率高重复性好，且具有绿色环保的优点，同时制备的低维氧化钇纳米片具有较高的晶体质量；低维层状氧化钇纳米片作为稀土氧化物纳米材料，可控的合成高质量的层状氧化钇纳米片在电子学器件中具有深远的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 氧化钇 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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