[发明专利]含拉电子取代基的聚噻吩类共轭聚合物及制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110330703.0 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112940228A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;孟彬;邓思辉;王利祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30;H01L35/24 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 李外 |
| 地址： | 130000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明提供一种含拉电子取代基的聚噻吩类共轭聚合物及制备方法与应用，属于功能高分子材料与有机电子学技术领域。该聚合物的结构式如式Ⅰ所示。本发明提供一种上述含拉电子取代基的聚噻吩类共轭聚合物的制备方法，该方法是在惰性气氛保护下，将双溴单体、双三烷基锡单体、钯催化剂以及配体溶解在有机溶剂中，在避光和加热回流条件下进行Stille聚合反应，得到含拉电子取代基的聚噻吩类共轭聚合物；本发明还提供式Ⅰ所示的含拉电子取代基的聚噻吩类共轭聚合物作为电子传输材料在有机场效应晶体管中的应用，以及作为n型高分子热电材料的应用。本发明的共聚物具有较高的电子迁移率、电导率及优异的热电性能。 |
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| 搜索关键词： | 电子 取代 噻吩 共轭 聚合物 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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