[发明专利]一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统在审

专利信息
申请号: 202110327090.5 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN112925483A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 刘飞;曹小天;霍宗亮;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 柳虹
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统,NAND Flash控制器接口电路包括命令地址时序产生电路,其中命令地址时序产生电路可以根据接口选择信号确定目标接口模式对应的时间参数,并根据目标接口模式对应的时间参数,产生目标接口模式对应的命令周期时序和地址周期时序,目标接口模式可以为SDR模式、NV‑DDR2模式、NV‑DDR3模式中的任意一种,这样命令地址时序产生电路可以根据接口选择信号而确定对应的时间参数,根据多个时间参数而工作在多个目标接口模式之下,实现了电路模块的复用,无需对应多种目标接口模块而设置不同的电路模块,节省电路资源。
搜索关键词: 一种 nand flash 控制器 接口 电路 闪存 系统
【主权项】:
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