[发明专利]一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备有效
| 申请号: | 202110325288.X | 申请日: | 2021-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN113064322B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 李福;蔡丰年;谢翔宇 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/70 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种掩模图案校正方法、存储介质以及设备,对于至少包括第一图案、第二图案和第三图案,第三图案设置在第一图案和第二图案之间,在靠近第三图案的一侧,第一图案的轮廓包括第一斜线线段、分别和第一斜线线段的两端连接的第一直线线段和第二直线线段,第一直线线段和第二直线线段平行;第二图案的轮廓包括第二斜线线段、分别和第二斜线线段的两端连接的第三直线线段和第四直线线段,第三直线线段和第四直线线段平行的掩模图案,可以通过调整第一斜线线段与第一直线线段的第一夹角以及第二斜线线段与第三直线线段的第二夹角实现对掩模图案的校正,从而避免在第一斜线线段、第二斜线线段和第三图案之间的位置处出现桥接的缺陷。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 图案 校正 方法 存储 介质 以及 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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