[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110319528.5 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113078114B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 卢经文;洪海涵 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决电容连接线内容易形成缝隙，进而影响动态随机存储器性能的问题。该半导体结构制作方法包括：在基底上形成位线结构，相邻位线上的绝缘结构之间围设成填充通道；在填充通道内形成导电体；沿垂直于位线长度方向在导电体上形成切缝，以将导电体分隔成多个导电块，每一导电块与基底上的一个晶体管连接。与先在基底上形成具有多个孔洞的绝缘结构，之后在孔洞内形成电容连接线相比，在填充通道内形成导电体时，导电材料由填充通道相对的两个侧壁向内移动，封口速度较慢，减小了形成在导电块内的缝隙体积，进而提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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