[发明专利]MEMS封装件、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110318761.1 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113651285A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈亭蓉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例针对使结晶层粗糙化的方法。结晶层沉积在衬底上方。掩模材料沿着结晶层的晶界扩散到结晶层中。例如，结晶层和掩模材料可以分别是多晶硅和氧化硅或分别包括多晶硅和氧化硅。然而，其他合适的材料也是可行的。用相对于掩模材料对结晶层具有高选择性的蚀刻剂对结晶层执行蚀刻。掩模材料限定沿着晶界嵌入在结晶层中的微掩模。微掩模在蚀刻期间保护下面的结晶层的部分，使得蚀刻在未被微掩模掩蔽的结晶层中形成沟槽。本申请的实施例还涉及MEMS封装件、半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | mems 封装 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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