[发明专利]发光二极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110317555.9 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112992964B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 庄永漳 | 申请（专利权）人： | 镭昱光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管结构及其制造方法。所述发光二极管结构包括基板和形成在基板上的多个LED单元。每个LED单元包括：键合层，其形成在基板上；第一掺杂型半导体层，其形成在键合层上；第二掺杂型半导体层，其形成在第一掺杂型半导体层上；钝化层，其形成在第二掺杂型半导体层上和第一掺杂型半导体层的一部分上；以及，电极层，其形成在钝化层的一部分上并与第二掺杂型半导体层接触。所述多个LED单元包括第一LED单元和与第一LED单元相邻的第二LED单元。第一LED单元的第一掺杂型半导体层水平地延伸至与第一LED单元相邻的第二LED单元的第一掺杂型半导体层，并且第一LED单元和第二LED单元是可单独工作的LED单元。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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