[发明专利]一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT有效
| 申请号： | 202110317460.7 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113078211B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;苏伟;张森;马臻;杨可萌;魏杰;樊雕;王晨霞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 mos 自适应 控制 soi ligbt | ||
【主权项】：
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