[发明专利]一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器

摘要

本申请实施例提供了一种相变存储材料，其通式为：DxScy(SbbTec)1‑x‑y，其中，D代表掺杂元素，所述D为氮、硼、氧和硅中的至少一种，x代表D的原子个数百分比，y代表Sc的原子个数百分比，b/c代表Sb与Te的原子个数比，其中，0＜x≤40％，1％＜y≤10％。适量引入掺杂元素D，提高了Sc‑Sb‑Te系材料的晶化温度从而提高了其非晶态的热稳定性，还提高了相变存储材料的非晶态结构密度，降低了与晶态结构的密度差异，使由该相变材料制得的相变存储器在具有超快擦写操作速度的同时，还具有较低的失效风险，使用寿命较长。本申请实施例还提供了该相变存储材料的制备方法及一种相变存储器。