[发明专利]一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片在审
| 申请号： | 202110312564.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113358251A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 高国民;赵建兵;黄炜;田开芳;牛孟霄 | 申请（专利权）人： | 中化天康科技（南京）有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 郭微 |
| 地址： | 210044 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括主体，主体包括硅片衬底，所述硅片衬底上设置有敏感电阻层和绝缘层，硅片衬底上部还形成有多孔硅结构，硅片上设置有铝膜，主体底部装设有一半封装部，半封装部内腔中设置有阻尼释放结构，硅片衬底底部设置有与封装部连接的容纳部，容纳部设置有第一吸附层和第二吸附层，第一吸附层安装在硅片衬底底部的封装面上，第二吸附层安装在半封装部上，第一吸附层和第二吸附层上分别装设有第一贴合模和第二贴合模，第一贴合模和第二贴合模上设置有位置相对错开分布的容纳孔，主体与半封装部连接处还装设导热部和透气部，主体与半封装部之间通过叠块连接，使得主体具有很好的导热性能、透气性和缓冲性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 mems 硅压阻式 压力 敏感 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中化天康科技（南京）有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司，未经中化天康科技（南京）有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110312564.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
