[发明专利]相变存储器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110307279.8 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113517393A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李东颖;林毓超;余绍铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在衬底上方形成介电层，该介电层具有顶面；在介电层中蚀刻开口；在开口内形成底电极，该底电极包括阻挡层；在开口内及在底电极上形成相变材料(PCM)层，其中，PCM层的顶面与介电层的顶面齐平或位于介电层的顶面的下方；以及在PCM层上形成顶电极。本申请的实施例涉及相变存储器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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