[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底顶部形成有层间介质层；去除相邻栅极结构之间的层间介质层，形成露出源漏掺杂层顶部的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一牺牲层；在源漏掺杂层的顶部形成源漏插塞，源漏插塞覆盖第一牺牲层的侧壁；去除第一牺牲层，形成由侧墙侧壁、基底顶部和源漏插塞侧壁围成的沟槽；形成覆盖栅极结构顶部和源漏插塞侧壁的密封层，所述密封层还密封沟槽的顶部，形成由侧墙、源漏掺杂层、基底和密封层围成的空气侧墙。空气侧墙的介电常数较低，能够降低栅极结构和源漏插塞之间的电容，有利于提高半导体的性能。