[发明专利]一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片有效
| 申请号： | 202110304549.X | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112701205B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;覃志伟;郭文平 | 申请（专利权）人： | 元旭半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 马春燕 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及深紫外发光二极管封装技术领域，提供了一种深紫外芯片的全无机封装制备方法及深紫外芯片，制备方法包括蓝宝石衬底的外延制备、芯片制备、基板衬底的制备以及芯片与基板的共晶粘接，深紫外芯片包括芯片结构区及芯片密封区；芯片结构区包括蓝宝石、n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、设置有P型欧姆接触及N型欧姆接触的绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、第一面电路、基板及第二面电路；芯片密封区包括n‑AlGaN层、量子阱层、P‑AlGaN层、绝缘层、高反射层、芯片共晶层、基板共晶层、沉积层及基板。本发明解决了目前的深紫外芯片封装过程中，使用有机材料进行封装，易出现有机材料老化或降解，对芯片造成破坏，影响芯片稳定及使用寿命的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 芯片 无机 封装 制备 方法 | ||
【主权项】：
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