[发明专利]一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺有效
| 申请号： | 202110302723.7 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112951950B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 邹臻峰;李明;赵增超;任鹏;石书清;柳一峰;黄心沿 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，包括以下步骤：低浓度氧化；高浓度杂质源扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；高浓度杂质源升温扩散氧化沉积，使硅片表面杂质源总量大于PN结深所需的杂质源总量；升温推进；升温氧化，对杂质源进行快速增强氧化，直至硅片表面杂质源总量与PN结深所需的杂质源总量相同。本发明低压扩散匹配激光SE的扩散工艺，在不影响生产产能前提下，提高PN结深的一致性和扩散方阻的均匀性和稳定性，有利于提高池转换效率，使用价值高，应用前景好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 扩散 匹配 激光 se 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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