[发明专利]一种可以控制单晶硅氧含量的连续直拉单晶炉及方法在审
| 申请号： | 202110300588.2 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113061982A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 上海引万光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200331 上海市普陀*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅直拉技术领域提出一种控制单晶硅内氧含量的连续直拉单晶炉，包括坩埚和坩埚内坝和加料器，加料器含熔融硅加料器，所述熔融硅加料器安装于所述坩埚的上方，并且根据预定的速度向坩埚提供液态硅；以及密封外壳，对连续直拉单晶炉的整体结构进行包围和真空密封。其中，所述坩埚中液态熔融硅的液位的深度小于1/2的坩埚直径，所述坩埚中最大熔融硅量小于单次拉晶2/3的总熔融硅需求量。本发明还提出一种控制氧含量和/或抑制单晶硅COP的连续直拉单晶方法。本发明可以抑制坝内外的氧原子的交换，减少氧原子等杂质以抑制单晶硅COP，该方法有效并且简便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可以 控制 单晶硅 含量 连续 直拉单晶炉 方法 | ||
【主权项】：
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