[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110294170.5 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113224211A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;刘源 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管还包括设置在所述衬底和所述缓冲层之间的激光剥离层，所述激光剥离层包括依次层叠在所述衬底上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为InGaN层，所述第二子层为Al层，所述第三子层为AlGaN层。该紫外发光二极管外延片可以采用波长248nm的准分子激光实现UVC LED衬底的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110294170.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
