[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202110289896.X | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN112802854B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 汤召辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11575 | 分类号： | H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述3D NAND存储器包括，半导体衬底，所述半导体衬底上具有控制栅和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构的端部具有台阶结构；位于半导体衬底上覆盖台阶结构的介质层；贯穿所述堆叠结构的伪通孔，所述伪通孔中填充伪通孔材料层，所述伪通孔材料层的硬度大于介质层的硬度；贯穿所述堆叠结构的栅极隔槽；位于所述栅极隔槽中的导电半导体层和金属层，所述导电半导体层位于所述金属层和所述半导体衬底之间。本发明的存储器能防止金属层的残留。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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