[发明专利]硼掺杂选择性发射极及制法、硼掺杂选择性发射极电池

摘要

本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，包括在制绒后硅片的表面制备重掺杂区和轻掺杂区，先在硅片表面覆盖一层硼掺杂剂，硼掺杂剂的覆盖区域不小于重掺杂区的区域大小；再对位于重掺杂区的硼掺杂剂进行激光掺杂形成硼化硅；然后对硼化硅进行高温推进，形成重掺杂区；接着在硅片表面形成轻掺杂区；制得硼掺杂选择性发射极。本发明利用激光掺杂形成硼化硅以及高温推进硼化硅形成重掺杂区，所用激光功率低，对硅片绒面友好，保证硅片绒面陷光效果的同时实现重掺杂区的制备；本发明在激光掺杂工序后增加一道碱液或酸液清洗工序，很好地去除了硅片表面残留的硼掺杂剂及附着的杂质，硅片的少子寿命不会降低。