[发明专利]一种高ZT值纯SnSe多晶块体热电材料的制备方法有效
| 申请号： | 202110281765.7 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113113531B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 罗贤;黄搏威;杨延清 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H10N10/852 | 分类号： | H10N10/852;H10N10/01 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 高凌君 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高ZT值纯SnSe多晶块体热电材料的制备方法，解决现有工艺制备的SnSe多晶块体存在热‑电性能较差的问题。该制备方法包括以下步骤：1)单质粉末的常温冷压成型；2)高温熔融反应；3)高能球磨；4)真空热压烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zt snse 多晶 块体 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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