[发明专利]一种安全可控的PMOS过压保护电路在审
| 申请号： | 202110279416.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN115085147A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘汝涛;赵学峰;刘渊;霍舒豪;张德兆;王肖;李晓飞;张放 | 申请（专利权）人： | 武汉智行者科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 徐金生 |
| 地址： | 430056 湖北省武汉市经济技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种安全可控的PMOS过压保护电路，包括稳压二极管D2；稳压二极管D2的负极与直流电源VBAT相连，稳压二极管D2的正极分别与电阻R7的一端和电阻R5的一端相连；电阻R5的另一端，分别与三极管Q3的基极B和滤波电容C2的一端连接；三极管Q3的集电极C，分别与电阻R3的一端、电阻R8的一端、滤波电容C3的一端和三极管Q2的基极B相连；电阻R3的另一端与单片机MCU的使能控制信号输出端相连；三极管Q2的集电极C，与电阻R4的一端相连；本发明设计科学，能够通过单片机MCU，实现过压保护电路的开关，并且通过加入状态检测，来监控PMOS的状态，达到提高过压保护电路的可靠性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 安全 可控 pmos 保护 电路 | ||
【主权项】：
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