[发明专利]半导体存储器的验证错误位量化电路和方法有效
| 申请号： | 202110275767.5 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112951309B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 曹毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杜娟;骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器的验证错误位量化电路，包括模式选择单元，从至少两个大小不同的验证标准中选择一个作为验证错误位量化电路的验证标准信号；最高位量化单元，比较验证标准信号和验证错误位信号并生成第一比较结果，根据第一比较结果输出第一使能信号，第一使能信号控制最低位量化单元的开启或关断；最低位量化单元，在其被开启时比较验证错误位信号和第一基准信号生成第二比较结果，根据第二比较结果输出第二使能信号，第二使能信号控制中间位量化单元的开启或关断；以及中间位量化单元，在其被开启时比较验证错误位信号和第二基准信号生成第三比较结果。本发明可以选择开启最合适的量化单元，关闭不必要的量化单元，节省功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 验证 错误 量化 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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