[发明专利]一种基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构在审
| 申请号： | 202110272976.4 | 申请日： | 2021-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN113097006A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 葛国伟;程显;白青林;杜帅;李鑫;吕彦鹏 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01H33/662 | 分类号： | H01H33/662;H01H33/664 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于径向多极取向磁场调控的真空灭弧室结构，包括动触头、静触头、第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体、第四永磁体、阻磁板、屏蔽罩、上端盖、下端盖、动触杆。其中，动静触头相对设置，成为放电结构，第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体、第四永磁体通过骨架固定在屏蔽罩内侧，设置在放电结构的外侧，永磁体的每个极磁铁空间位置相差45度，屏蔽罩设置在磁铁与骨架外侧，且能够将永磁体覆盖。本发明的结构简单，制作成本低，在现有真空灭弧室结构的基础上，通过增设永磁体，能够实现动静触头拉弧后使残余电荷维持在触头中间，解决了真空灭弧室弧后重燃的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 径向 多极 取向 磁场 调控 真空 灭弧室 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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