[发明专利]GaN器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110272075.5 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113053814A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;郁发新;王志宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明的GaN器件结构及其制备方法，制备包括：提供衬底；制备GaN沟道层、势垒层、中间保护层、第一器件电极；在第一器件电极周围的中间保护层上制备第二栅极；制备栅氧层、In |
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| 搜索关键词： | gan 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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