[发明专利]一种SGT MOSFET器件及其接触孔的制造方法在审
| 申请号： | 202110271647.8 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035840A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 彭飞;赵毅;石亮 | 申请（专利权）人： | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/60;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 张仁杰 |
| 地址： | 400700 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SGT MOSFET器件及其接触孔的制造方法，涉及功率半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、栅极沟槽、源极沟槽、屏蔽栅沟槽以及预埋ESD沟槽；B、元胞结构的制备；C、离子注入制备ESD、体区、源区；D、栅极接触孔、源极接触孔、屏蔽栅接触孔、ESD接触孔的制作。本发明通过将ESD预埋入沟槽之中，减小栅极接触孔、源极接触孔、屏蔽栅接触孔、ESD接触孔的深度差，实现一次光刻工艺完成所有接触孔的制作，减少了一道光刻工艺流程及一道生长ESD多晶硅的工艺流程，节约成本，降低了制造工艺的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sgt mosfet 器件 及其 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆万国半导体科技有限公司，未经重庆万国半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110271647.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
