[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202110269339.1 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035936B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 深圳市昭矽微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底、外延层、体区、第一栅介质层、栅极和源区；外延层层叠设置于衬底上，体区层叠设置于外延层上，外延层和体区中开设有沟槽，沟槽的开口位于外延层的上表面、槽底位于体区中；第一栅介质层和栅极均设置于沟槽中；部分栅极设置于体区中、部分栅极设置于外延层中，第一栅介质层用于间隔栅极与体区和栅极与外延层，源区设置于体区中。该沟槽型VDMOS器件能够使得半导体器件的发热量和能耗都得到显著的降低，运行速度得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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