[发明专利]一种接触孔自对准低压场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 202110255968.9 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112864238B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡斌君 | 申请（专利权）人： | 上海恒灼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 袁步兰 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提出一种接触孔自对准低压场效应晶体管的制作方法，本发明减少了栅结晶间的距离，传统的器件，两个栅结晶间需要有接触孔，接触孔到trenchgate间需要一定的距离，本发明接触孔和gate trench自对准，上下隔离，有效减少了栅结晶间的距离；本发明沟槽尺寸固定，减少刻蚀负载效应影响，提高击穿电压及导通电阻性能；利用poly recess形成的接触孔，以及刻蚀对Si |
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| 搜索关键词： | 一种 接触 对准 低压 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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