[发明专利]半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统有效
| 申请号： | 202110255495.2 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113030688B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 马英起;陈钱;韩建伟;朱翔;上官士鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 瞬态 剂量率 效应 激光 模拟 装置 评估 系统 | ||
【主权项】：
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