[发明专利]非易失性CMOS忆阻器及其构成的可重构阵列架构在审
| 申请号： | 202110254589.8 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113054954A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王春华;邓全利;徐聪;洪庆辉;孙晶茹 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H03K3/3562 | 分类号： | H03K3/3562;H03K3/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS差分输入电流传输跨导放大器电路(VDCCTA)，以及基于VDCCTA构成的忆阻器电路和由忆阻器构成的可重构交叉阵列。VDCCTA的电流输出端Z端可实现有信号输入时输出阻值为有限值，无信号输入时输出阻值趋于无穷大的特性。由所提出的VDCCTA电路构成的接地型和浮地型忆阻器具有非易失的特性，可以用于多种忆阻器的应用电路(忆阻器神经网络电路，忆阻器混沌电路等)。为解决普遍存在于由忆阻器构成阵列电路中的漏电路径问题，本发明提出了由行列双开关控制的2S1R忆阻器可重构阵列。提出的忆阻器电路及忆阻器可重构阵列电路结构灵活应用领域广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 cmos 忆阻器 及其 构成 可重构 阵列 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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