[发明专利]碳化硅单晶生长控制装置及控制方法在审
| 申请号： | 202110248412.7 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113026099A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林大野;王治中;蔡钦铭 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 郝怀庆 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶生长控制装置，包括壳体、加热装置、硅源气体管道和碳源气体管道。壳体内形成有反应腔室，反应腔室内设有碳化硅籽晶置放位；加热装置设于壳体，用以控制反应腔室的内部温度；硅源气体管道用以向反应腔室内通入硅源气体，碳源气体管道用以向反应腔室内通入碳源气体；硅源气体管道设有第一质量流量控制器，用以监测和控制硅源气体的流量；碳源气体管道设有第二质量流量控制器，用以监测和控制碳源气体的流量。本发明还提供一种碳化硅单晶生长控制方法。本发明能够调节和控制硅源气体流量和碳源气体流量之比，使得反应腔室内硅源气体中的Si与碳源气体中C的比例为1:1，从而能够制备出高纯度高质量的SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
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