[发明专利]半导体制程中失控行为的处理方法及处理装置有效
| 申请号： | 202110240525.2 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113053786B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王俊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G05B19/418;G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制程中失控行为的处理方法及处理装置。所述半导体制程中失控行为的处理方法包括如下步骤：建立与多个半导体制程步骤分别对应的多个失控行为识别编码、以及与多个失控行为识别编码一一对应的多个识别内容，根据所述识别内容建立失控行为检查列表，所述失控行为检查列表中包括多种失控行为检查项目；判断执行当前半导体制程步骤的晶圆是否出现失控行为，若是，则自动获取与当前半导体制程步骤对应的当前失控行为识别编码；根据与当前失控行为识别编码对应的当前识别内容对所述晶圆进行检测。本发明提高了半导体制程过程中失控行为处理的效率，提高了对失控行为处理结果的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制程中 失控 行为 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
