[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有堆叠体；在堆叠体中形成贯穿至衬底并沿第一方向排列的多个沟道孔阵列，并在各沟道孔阵列中的沟道通孔中形成沟道结构；在堆叠体中形成贯穿至衬底的虚拟沟道孔列，各虚拟沟道孔列位于相邻沟道孔阵列之间，且各虚拟沟道孔列中的虚拟沟道孔沿第二方向分布，在各虚拟沟道孔中形成填充部以形成虚拟沟道结构；将堆叠体中的牺牲层置换为控制栅结构，以形成栅极堆叠结构，在栅极堆叠结构中形成贯穿至衬底的多个共源极；在栅极堆叠结构表面形成顶部选择栅切线，顶部选择栅切线贯穿虚拟沟道孔列中各填充部的顶部。上述方法有利于器件存储密度的提升。