[发明专利]一种氧化钒热成像芯片制造中的聚酰亚胺光刻胶去除方法在审
| 申请号： | 202110235891.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113031409A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王浩明 | 申请（专利权）人： | 苏州子山半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 薛芳芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钒热成像芯片制造中的聚酰亚胺光刻胶去除方法，包括以下操作步骤：S1：挑选一定数量的均苯四酸二酐，所述均苯四酸二酐又称2,4,5‑苯四酸酐，分子式是C10H2O6，分子量为218.1193，为白色微黄块状粉状固体结晶，准备一定数量的二氨基二苯醚，所述二氨基二苯醚分子式为C12H12N2O，相对分子量为200.23，为乙醇中析出的晶体；S2：准备一定数量的4％H2/N2气体，备用。本发明所述的一种氧化钒热成像芯片制造中的聚酰亚胺光刻胶去除方法，通过采用RF等离子技术实现氧化钒热成像芯片的聚酰亚胺光刻胶去除，并结合传统RF等离子系统所存在的问题进行制程优化，加入新的制程气体，调试新的参数，得以满足工艺要求，带来更好的使用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 成像 芯片 制造 中的 聚酰亚胺 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
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