[发明专利]一种硅基LED及其制备方法在审
| 申请号： | 202110233355.5 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113036010A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈家荣;彭麦菊;龙标;吴凯生 | 申请（专利权）人： | 贵州民族大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 赵秀斌 |
| 地址： | 550025 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基LED的制备方法，包括以下步骤:在硅衬底的抛光一侧表面设置一层银膜，对所述硅衬底进行腐蚀，得到表面粗糙的硅基衬底；在所述硅基衬底表面设置一层硅纳米晶薄膜；在所述硅纳米晶薄膜远离所述硅基衬底的一侧设置一层表面等离激元；在所述表面等离激元远离所述硅纳米晶薄膜的一侧设置负极区；在所述硅基衬底远离所述银膜的一侧设置正极区。本发明采用两步法能够有效的提高硅基LED的亮度，一是采用腐蚀的方法制备表面粗糙的硅基衬底，二是通过表面等离激元来提高硅基LED的发光强度，在外加偏压下，该表面等离激元产生表面等离子体场，该表面等离子体场增加了电子和空穴的复合几率，从而可提高硅基LED的电致发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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