[发明专利]一种薄电容耦合晶闸管及薄电容耦合晶闸管的制备方法在审
| 申请号： | 202110232823.7 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113178484A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 曹磊;殷华湘;张青竹;张兆浩;顾杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/749;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄电容耦合晶闸管及薄电容耦合晶闸管的制备方法，薄电容耦合晶闸管包括：衬底；衬底上包括依次连接的阳极区、n基区、p基区、阴极区；所述P基区为纳米片堆栈部，所述纳米堆栈部形成多个导电沟道，纳米片堆栈部包括；纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是第一半导体形成的，纳米片是第二半导体形成的；所述纳米片的宽度大于支撑结构的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围。薄电容耦合晶体管(TCCT)展现出了明显的开关特性，基于体硅的Fishbone FET设计可以结合TCCT的设计方法，将其设计成为一个电容耦合的晶闸管，这将显著提升器件的开关特性和亚阈值摆幅，同时也可以利用Fishbone FET优异的电流驱动特性提升器件的工作电流，并且体硅与衬底的连接也有利于器件散热问题的解决。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 耦合 晶闸管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110232823.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
