[发明专利]图形化复合衬底的形成方法有效
| 申请号： | 202110231971.7 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112968093B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘思东 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 何龙其 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种图形化复合衬底的形成方法，包括：提供表面形成有第一材料层的基底，第一材料层表面形成有图形化的掩膜；对掩膜进行第一刻蚀，使得掩膜的侧壁与参考平面之间具有第一倾斜角，第一倾斜角大于目标倾斜角，且两者之差小于第一阈值；对第一材料层和掩膜进行第二刻蚀，直至去除所述掩膜，在第一材料层内形成开口，开口之间形成凸起，开口侧壁与参考平面之间具有第二倾斜角，第二倾斜角与目标倾斜角之差小于第二阈值，第二阈值小于所述第一阈值；沿开口进行第三刻蚀，将凸起进一步刻蚀为锥体，并在基底内形成凹陷，锥体侧壁、凹陷的侧壁与参考平面之间均具有目标倾斜角。所述图形化复合衬底有利于提高在其表面形成的半导体外延层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 复合 衬底 形成 方法 | ||
【主权项】：
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