[发明专利]半导体器件及其制作方法、及电子设备在审
| 申请号： | 202110228786.2 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113178474A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨文韬;王康;宋超凡;王梁浩;赵倩;戴楼成;侯召政;黄伯宁 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制作方法、及电子设备。半导体器件包括漂移区、第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构位于漂移区的同侧。第一电极结构包括第一绝缘层和第一电极，第一绝缘层位于第一电极的外围，第二电极结构包括第二绝缘层和第二电极，第二绝缘层位于第二电极的外围，第一电极和第二电极之间设有缓冲结构，缓冲结构用于增加导通时载流子在漂移区的积累。本申请通过在第一电极和第二电极之间设置缓冲结构，缓冲了半导体器件导通时漂移区存储的载流子的流动，提高漂移区载流子的浓度，有利于降低半导体器件的导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110228786.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
