[发明专利]一种基于互质极化阵列的差分阵列内插的DOA估计方法有效
| 申请号： | 202110227303.7 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113075610B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 符茗铖;郑植;王文钦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | G01S3/14 | 分类号： | G01S3/14;G06F17/16 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周刘英 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于互质极化阵列的差分阵列内插的DOA估计方法，属于无线移动通信技术领域。本发明利用互质极化阵列和差分阵列内插方法实现高精度DOA估计，包括：首先，使用观测数据计算得到互质极化阵列的协方差矩阵。然后，列向量化协方差矩阵并进行去冗余和元素重排得到差分阵列。之后，运用差分阵列内插方法填充差分阵列中每个分量上的孔洞，重构得到对应于各个分量上无孔洞差分阵列的协方差矩阵；最后，由各个分量的重构协方差矩阵组合得到虚拟极化阵列的协方差矩阵，并对其使用MUSIC算法，搜索得到入射信号的DOA估计。本发明能够利用虚拟差分阵列的全部阵列孔径，具有DOA估计精度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极化 阵列 内插 doa 估计 方法 | ||
【主权项】：
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