[发明专利]基片处理装置和基片处理装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110224018.X | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113394129A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 中川西学;武田聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在制冷装置升降时，能够抑制压缩装置与致冷剂输送管的连接固定部的破损的基片处理装置及其制造方法。基片处理装置包括：内部有载置基片的载置台和靶材保持件的处理容器；在其与载置台的下表面之间具有间隙地配置，具有制冷机和与制冷机层叠的制冷载热体的制冷装置；使制冷装置升降的第一升降装置；制冷装置的内部的对间隙供给致冷剂的致冷剂流路；对供给到致冷剂流路的致冷剂进行压缩的压缩装置；以及与作为致冷剂流路口的第一连接固定部和跟压缩装置连通的第二连接固定部连接固定的致冷剂输送管，致冷剂输送管在第一连接固定部与第二连接固定部之间以至少一部分弯曲的状态延伸设置，在第二连接固定部中致冷剂输送管载置于支承部件上。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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