[发明专利]InGaN基红光LED芯片结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110219749.5 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113013302A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 庄文荣;卢敬权 | 申请（专利权）人： | 东莞市中麒光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InGaN基红光LED芯片结构的制备方法，包括：提供一蓝宝石衬底，其外延面取向为c面，具有斜切角，所述斜切角大于0.2°；沉积缓冲层；生长LED外延结构，LED外延结构中的发光层的阱层为InGaN层，通过控制InGaN层中的In含量，使InGaN层的带隙为1.6‑2电子伏。本发明可以有效提高外延面的原子台阶密度，减少台阶台面宽度，促进InGaN层中In原子的进入，提高发光层中的阱层InGaN中In的含量，使其带隙为1.6‑2eV而发红光，同时，可以降低极化场场强，减弱量子限制斯塔克效应，提高芯片的内量子效率，并有效减少氮化铟与氮化镓的相分离的问题。 | ||
| 搜索关键词： | ingan 红光 led 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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