[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 202110219720.7 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113036007A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 樊本杰;杨鸿志;邓顺达 | 申请（专利权）人： | 开发晶照明（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔星*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种发光二极管芯片，例如包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层；以及多量子阱结构层，形成在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层之间。其中，所述多量子阱结构层包括在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层的距离方向上层叠设置的多个第一量子阱结构和至少一个第二量子阱结构，所述多个第一量子阱结构用于发射第一颜色光，所述至少一个第二量子阱结构用于发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光，且所述至少一个第二量子阱结构的阱层总数为所述多个第一量子阱结构中位于所述至少一个第二量子阱结构与所述第二掺杂类型半导体层之间的第一量子阱结构的阱层总数的1/15～1/5。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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