[发明专利]电容耦合式电平移位器有效
| 申请号： | 202110219334.8 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN113037273B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | S·夏尔马;M·詹代利亚;D·M·金策;T·普尔巴里奇 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 魏小薇;吴丽丽 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种电容耦合式电平移位器。公开了一种半桥式GaN电路。所述电路包含：低侧电源开关，其经配置以根据一或多个输入信号而选择性地导电；高侧电源开关，其经配置以根据所述一或多个输入信号而选择性地导电；和高侧电源开关控制器，其经配置以基于所述一或多个输入信号而控制所述高侧电源开关的导电性。所述高侧电源开关控制器包含电容器和逻辑电路，其中所述电容器经配置以将基于所述输入信号的信号电容性耦合到所述逻辑电路，且所述逻辑电路经配置以基于所述电容耦合式信号而控制所述高侧电源开关的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 耦合 电平 移位 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳维达斯半导体有限公司，未经纳维达斯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110219334.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
