[发明专利]一种高精度硅基压阻式压力传感器在审
| 申请号： | 202110217698.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113008438A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨浩;徐鑫;郑东飞;袁海 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度硅基压阻式压力传感器，属于硅基集成压力传感器设计技术领域。包括厚膜陶瓷基板，厚膜陶瓷基板的正面设有气压检测口，厚膜陶瓷基板的背面设有陶瓷封装体，陶瓷封装体内部的厚膜陶瓷基板区域上设有硅基压力传感器芯片和伺服电路；其中，硅基压力传感器芯片通过键合方式实现电气连接。本发明所述高精度硅基压阻式压力传感器，具有温度补偿功能，减小补偿误差，能够满足高精度应用场合的技术需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 硅基压阻式 压力传感器 | ||
【主权项】：
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