[发明专利]多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列在审
| 申请号： | 202110207886.7 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113393885A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈志欣;罗俊元;王世辰;赖宗沐 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/24;G11C16/26;H01L27/11521;H01L27/11519 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列。存储单元阵列中的存储单元可为单一晶体管与单一电容器的存储单元(1T1C cell)、二晶体管与单一电容器的存储单元(2T1C cell)或者三晶体管与单一电容器的存储单元(3T1C cell)。另外，在存储单元阵列的设计中，将不同列存储单元的浮动栅晶体管设计在相同的阱区中，用以降低芯片尺寸。再者，设计存储单元阵列的偏压，使得存储单元阵列能够正常地进行编程动作、抹除动作或读取动作。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 编程 挥发性 存储器 存储 单元 阵列 | ||
【主权项】：
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