[发明专利]一种原位生长型锂离子电池电极Cu2在审

专利信息
申请号: 202110203189.4 申请日: 2021-02-23
公开(公告)号: CN113013404A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 张启波;薛瑞昌 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 王颖
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种原位生长型锂离子电池电极Cu2Sb纳米材料的制备方法,涉及电极材料制备领域。本发明以低共熔型离子液体为溶剂,将锑离子前驱体加入到低共熔型离子液体中,搅拌混合均匀后得到离子液体‑锑盐复合型溶液体系,通过控制温度、锑含量和时间,在铜基体上进行Cu2Sb的生长。然后分别经无水乙醇、蒸馏水冲洗,干燥后即可在铜基体上获得原位生长型Cu2Sb薄膜材料。本发明将三氯化锑作为前驱体,采用一步直接置换法制备Cu2Sb纳米电极材料。该制备方法具有制备方法简单,条件温和,成本低廉,易规模化等优势。
搜索关键词: 一种 原位 生长 锂离子电池 电极 cu base sub
【主权项】:
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