[发明专利]一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置有效
| 申请号： | 202110200873.7 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113005511B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李加林;刘星;李斌;孙元行;刘鹏飞;李博;侯建国;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 张伟朴 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置，该方法包括：(1)组装阶段；(2)升温阶段；(3)形核阶段：保持坩埚顶端中心的温度为T1，控制保温盖沿着保温筒侧壁向下移动，控制坩埚顶端中心的温度与坩埚顶端边缘的温度差逐渐增加至△T2，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；(4)生长阶段：碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶。在形核阶段，籽晶表面形成以籽晶中心为圆心的环形温场，通过控制保温盖向下移动，环形温场更加均匀稳定且径向温梯逐渐缓慢增加，实现径向温梯的定向定量调节，逐渐增大籽晶处径向温梯，共同作用促进形核阶段的多核竞争兼并，形成均匀致密的生长台阶，降低晶体缺陷的产生机率，提高了晶体生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 晶体 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
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