[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 202110200687.3 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113005510B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 姚恒;李光 | 申请（专利权）人： | 中山荣拓智能装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528400 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。一种碳化硅单晶的制备方法，包括以下步骤：S1.对具有复合坩埚盖的坩埚进行清洗、空烧处理；S2.在冷却后的坩埚底部放置高纯碳化硅微粉，并在保护气体正压下，以复合加热体加热所述坩埚至1700℃～2400℃；S3.保温步骤S3中体系，之后冷却至室温，即得所述碳化硅单晶。本发明中所用的籽晶为复合坩埚盖的一部分，因此避免了单独设置籽晶(衬底)对坩埚内温场的扰乱；本发明中设置的复合加热体，可以通过调整活动石墨环的位置，调整坩埚所在的温场，因此可以更好控制碳化硅单晶的生长过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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